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    铟镓砷 InGaAs MP6514S型单光子阵列探测器组件 950~1650nm  

    MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器??橛氲缪鼓姹淠??、制冷???、信号控制??樽槌?。在盖革工作模式下,探测器组件各……

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    产品型号
    型号 货号 操作 名称
    MP6514S  E80040036  8-10周    InGaAs单光子阵列探测器组件 950~1650nm   [PDF] 器件类型 InGaAs APD;工作波长 950~1650nm;阵列规模 4x4;像元大小 100μm x 100μm;光敏面大小 85μm x 85μm;石英光窗;探测效率 ≥10% (1.57+0.05μm) 

    总览

    MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器???/span>与电压逆变???、制冷???/span>、信号控制??樽槌?。在盖革工作模式下,探测器组件各像元独立、自由运行,探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号,实时输出TTL电信号。

    产品特点

    ●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm  

    ●采用金属封装,器件质轻灵巧 

    ●像元独立、自由运行 

    ●像元可探测弱光子信号 

    ●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调 

    产品应用

    ●透雾、霾、烟尘等测距

    ●近红外激光告警

    ●远距离激光测距

    ●远距离空间激光通信

    技术参数

    探测器面阵规格


    性能描述

    器件类型

    InGaAs APD

    阵列规模

    4x4

    像元大小

    100μm x 100μm

    光敏面大小[1]

    85μm x 85μm

    光窗

    石英光窗

    感光靶面至光窗外表面间距

    4mm (光窗厚度为1mm )

    注[1]:单片集成微透镜焦距150μm。


    主要性能指标(Tc=22+3℃)

    特性参数

    参数指标

    工作波长[1]

    0.95 ~ 1.65μm

    探测效率

    ≥10% ( 1.57   +0.05μm)

    暗计数率

    ≤10KHz

    时间抖动

    ≤500ps

    死时间

    100 ~ 1000ns可调

    有效像元率

    100%

    注[1]:在工作波长范围内选配标准窄带滤光片。

    绝对最大额定值

    参数

    额定值

    单位

    工作温度范围Tc

    -40~+55

    °C

    贮存温度范围TSTG

    -40~+70

    °C

    最大功耗P

    15

    W

    输入偏置范围VR

    4.95.5

    V

    静电放电敏感度ESD

    1000~2000

    V

    质量可靠性保证

    ● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。

    通用参数

    封装外形结构与尺寸(单位: mm )

    zj1.png

    zj2.png

    电学接口

    zj4.png

    ●电源输入: +5V

    ●数据输出类型: TTL

    ●控制命令接口: J63A-31

    ●电源输入接口类型: J30J

    ●数据输出接口类型: J63A-31

    ●外触发接口: SSMA

    接口编号

    功能

    1

    SSMA-1:内同步信号输出

    2

    SSMA-2:外同步信号输入

    3

    J63A-31:输出信号端口及探测器工作设置输入信号端口

    4

    J30J: +5V单电源供电










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